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DBC陶瓷覆铜板:功率电子领域的关键基石与技术创新

DBC陶瓷覆铜板:功率电子领域的关键基石与技术创新

 在新能源、轨道交通、5G通信等战略新兴产业蓬勃发展的背景下,DBC(Direct Bonded Copper)陶瓷覆铜板作为高端电子封装材料,正以其独特的"铜陶共生"结构,成为解决大功率器件热管理难题的核心载体。作为深耕功率电子材料领域十余年的专业厂商,我们始终聚焦DBC陶瓷覆铜板的技术突破与产业升级,以材料创新赋能中国制造。

DBC陶瓷覆铜板的工艺制作 

        DBC陶瓷覆铜板采用真空热压烧结工艺,在1060℃高温、20MPa压力条件下,使无氧铜带与氧化铝/氮化铝陶瓷基板发生原子级扩散结合,形成铜层厚度80-500μm、热导率超200W/m·K的复合结构。这种"无界面"键合技术带来三大核心优势:其一,铜层与陶瓷间结合强度超过40MPa,可耐受-65℃至280℃热循环冲击;其二,CTE(热膨胀系数)匹配度达95%以上,彻底解决传统钎焊工艺的界面开裂问题;其三,10μm级铜层粗糙度控制,满足高频微波器件的精密封装需求。


 在生产工艺上,我们突破三大技术瓶颈:通过纳米铜粉预处理技术,将铜层孔隙率控制在0.5%以内;自主研发五轴联动热压机,实现温度场均匀性±3℃;建立AI缺陷识别系统,将良率提升至98.6%。产品质量认证,批量应用于特斯拉充电桩、华为5G基站等标杆项目。


DBC陶瓷覆铜板的应用场景

        典型应用场景中,DBC陶瓷覆铜板展现出卓越性能:在IGBT功率模块中,较传统材料降低结温25℃,提升模块寿命3倍;作为LED陶瓷散热基板,导热效率提升40%,使光效提高18%;在毫米波雷达T/R组件中,实现200W功率密度下的稳定工作。某国际半导体龙头企业实测数据显示,采用该材料后,器件失效率从ppm级降至ppb级。


未来,三维结构DBC基板、石墨烯增强复合陶瓷等新一代技术不断创新,目标将热导率突破300W/m·K大关。通过构建智能产线,实现铜层厚度动态调控,满足SiC、GaN等宽禁带半导体对封装材料的苛刻要求。随着新能源革命与半导体自主可控战略的推进,DBC陶瓷覆铜板必将在大功率电子封装领域释放更大价值,助力中国功率半导体产业链攀上新高度。更多陶瓷覆铜板DBC相关问题可以咨询深圳市晶瓷精密科技有限公司,晶瓷有着多年的行业经验和技术经验,成熟DBC和DPC工艺,品质可靠,交期准时,欢迎咨询。

 

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