高工作频率及更高功率等级的要求，需求逐渐增加。功率半导体器件进入一个蓬勃发展的时期，很多新型的功率器件，比如IGBT、GTO、IPM相继问世，并且在相关领域内得到越来越广泛的应用。功率硅器件的应用已经相当成熟，但随着日益增长的行业需求，硅器件由于其本身物理特性的限制，已经开始不适用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。因此碳化硅陶瓷基板，契合了高功率半导体的要求。
      碳化硅陶瓷基板哪些优势？
      SiC材料与目前应该广泛的Si材料相比，较高的热导率决定了其高电流密度的特性，较高的禁带宽度又决定了碳化硅（SiC）陶瓷线路板的的高击穿场强和高工作温度。其优点主要可以概括为以下几点：
     1) 适应高温环境工作
     SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构，其能带宽度可达2.2eV至3.3eV，几乎是Si材料的两倍以上。因此，SiC所能承受的温度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。
     2) 低介电损耗
     一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用斯利通碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件导通损耗对温度的依存度很小，随温度的变化也很小，这与传统的Si器件也有很大差别。
     3) 高阻断电压
     与Si材料相比，SiC的击穿场强是Si的十倍多，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。
     4) 开关速度快
       SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件能在更高的频率下工作。
       综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。在高功率，高温，高压环境下，碳化硅陶瓷基板温度变化很小，几乎没有热应力，电压击穿强度高，有限阻断电压。
        碳化硅陶瓷电路板在碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域均有不小单的作用。更多碳化硅陶瓷基板相关问题可以咨询晶瓷精密科技，公司主营陶瓷基板金属化、陶瓷电路板、陶瓷覆铜板加工生产，品质全检，快速交期，欢迎咨询。